Билет №1:
1. Реактивное ионное напыление. Ионноплазменное Анодирование.
Начать: есть ионноплазменное напыление. А это реактивное. Чем вызвано появление. Было разработано для диэл. пленок. ВАЖНО почему ограничено применение (плохо воспроизводит стехоиметрический состав)
2. Электронная литография. Скорость сканирующего пучка.
Схема, набор элементов. Не забыть что надо снижать мощность луча или выключать при переходе.
Билет 2:
1.Ионное травление
2.Фоторезисты
Б3:
1. Получение тонких пленок вакуумным напылением.
ВАЖНО: ограничеие метода. Невозспроизводимость толщины. Чистота: форсировованное испарение (НЕ ЗАБЫТЬ зачем)
Очень резкая зависимость почти для всех элементов таблицы давления от температуры (чем быстрее растет пленка, тем меньше в нее попадает остаточных газов).
2. 3-х электродный и магнитр. систем.
3-х электродный - доп. источник элементов
{дальше пошло не по билетам, а по вопросам. Читала она подряд в принципе} 1 билет - 2 вопроса, то бишь 6 пунктов
Методы сборки. Присоединение контактов к выводам.
Огр. пленки (Al, Au, остальные не прокатываются до нужных размеров пункты это комментарии 2. Ионноплазменное высокочастотное напыление диэл. пленок
Частота высокая (>10МГц), никакого тлеющего разряда. Выбирается такая частота, чтобы компенсировать заряд около мишени. Из-за высокой подвижности электроны успевают дойти, а ионы только те, которые близко к катоду. Из центра не доходят никогда, поэтому центр заряжен положительно. Дополнительный заряд центра создает достаточно большое поле, чтобы ионы сумели дойти.
Next:
Литография. Последовательность операций.
Важно: ограничения метода. Дифракция (теоретически лямбда/2, реально лямбда). Правильный выбор времени экспонирования. Почему может увеличиваться или уменьшаться рисунок?
Next:
Химические реакции.
С какой целью именно они? Они все используют доп. активацию или высокой T или плазмой. Когда можно, когда нельзя тепло? Чаще с теплом, но если схема готова, использовать нельзя. Тогда плазма.
Next: Технология толстопленочных схем
Next:
Локальное окисление.
ВАЖНО: Птичьи эффекты. Планаризация поверхности. Подтравливание.
Next: методы конторля толщзины пленок.
Иногда изменряют не напрямую (напрямую и не нужно измерять)
Next: методы изоляции элементов
ЛОКОС, p-n переходом, Эпик-процесс
Next: Многоуровневая разводка СБИС.
Почему не Алюминий? Почему не одна монопленка? Роль силицидов
Требования к материалу (проводимость, адгезия, низкое переходное сопротивление, возможность присоединения).
Уход от алюминия всегда многослойная композиция.
У Алюминия электромиграция (самодиффузия) и ширина токоведущей дорожки не может быть слишком узкой (рвется), + всегда пленка Al2O3 на нем. Ничем не стравить её. В остальном Al подходит.
Алюминий используют максимум при 2-х уровневой разводке. Тогда на алюминий наносят титан (он раскисляет) и затем W.
Почему нельзя использовать чистую медь? (Медь слишком активна, работать не будет)
Next:
Изопланарная технология.
Виды изопланарной технологии. Изоляция на дне. Проксиление.
Next: Рентген. и ион. методы.
ТОЛЬКО СУТЬ
Next: билет №9. Первый вопрос в топку
второй: подоложки для тонкопленочных схем
№10: первый вопрос в топку.
2) х.з.
---
next: Фотонаб. что-то там тонколленочных ИС. Маски, материалы и т.п.
next: ионноплазмернное, плазмохим.
из списка вопросов в экзамен не войдут тех. процесс изготовления изопланарной схемы
и тех. процесс n-канальный МОП схемы На экзамен приходят 11 человек к 9:30, а то и к 10
она сама не знает как ей в Деканате ведомости отдадут -попробуйте только не ответить почему мы уменьшаем размеры. сразу выгоню и ... три поставлю если все круто написано может ничего не спросить даже
ну или легкие вопросы
говорит пишите подробнее
"меня мало волнует списали ли вы. главное понимание"
она говорит что к списаному всегда задает вопросы
сказала что вот проработаете 40 лет и научитесь тоже понимать сказала что старается задавать вопрос по билету
строго
билетов 12, но в одном кака
и поэтому кто получит 9 билет, получает 10 в подарок
и отвечает на 2 вопрос 9 и 2ой 10ого
она просто не успела прочитать их
|
