| Дело с доп. вопросами так обстоит: спросили какие типичные вопросы будут? - на что она ответила: "Их много. Порядка 200!! вопросов. Чем были мы ошарашены... То, что я успел записать: степень насыщения транзистора, диффузная и барьерная емкости, встречное поле в базе (неравновесное распределение примеси в базе - графическое отображение), остаточное напряжение 3 вопроса в билете +10-15 дополнительных вопросов (информация от Никифировой)
| 
