Главная » 2008 » Октябрь » 21 » Коллоквиум по микре (22.10 в 15.00 после лекции)
Коллоквиум по микре (22.10 в 15.00 после лекции) | 8:24 AM |
- Основные
определения - Интегральные
микросхемы - Кристаллическая
структура полупроводников - Зонная структура
полупроводников - Распределение
носителей заряда в зонах - Концентрация
свободных носителей заряда при термодинамическом
равновесии - Нарушения
кристаллической решетки - Поверхностные
дефекты - Собственные
полупроводники - Примесные
полупроводники - Зависимость
положения уровня Ферми от температуры - Зависимость
положения уровня Ферми от концентрации
примеси в полупроводнике - Эффект сужения
запрещенной зоны - Перенос
заряда в полупроводниках (дрейф и диффузия) - Подвижность
носителей заряда - Зависимость
подвижности от напряженности электрического
поля в полупроводнике - Постоянная
релаксации Максвелла - Туннельный
эффект - Ударная
ионизация - Зоны Бриллюэна
- Эффективная
масса - Равновесные
и неравновесные носители заряда - Генерация
и рекомбинация носителей заряда - Время жизни
неравновесных носителей заряда - Прямые и
непрямые переходы - Рекомбинация
через ловушки - Время жизни
неравновесных носителей при рекомбинации
через ловушки - Зависимость
времени жизни неосновных носителей от
концентрации примеси, температуры и уровня
инжекции - Оже-рекомбинация
- Эффект Дембера
- Электронно-дырочный
переход - Равновесный
резкий симметричный р-n-переход - Равновесный
резкий несимметричный р-n-переход - Распределение
напряженности электрического поля и
потенциала в резком равновесном р-n-переходе - Контактная
разность потенциалов и толщина резкого
равновесного р-n-перехода - Выпрямление
тока в р-n-переходе
|
|
Категория: 5ый семестр. |
Просмотров: 771 |
Добавил: Староста
| Рейтинг: 0.0/0 |
|
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ] |
