по курсу «Физические основы микроэлектроники»

1. Основные определения
2. Интегральные микросхемы
3. Кристаллическая структура полупроводников
4. Зонная структура полупроводников
5. Распределение носителей заряда в зонах
6. Концентрация свободных носителей заряда в невырожденном полупроводнике при термодинамическом равновесии
7. Нарушения кристаллической решетки
8. Поверхностные дефекты
9. Собственные полупроводники
10. Примесные полупроводники
11. Зависимость положения уровня Ферми от температуры
12. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примеси в полупроводнике
13. Эффект сужения запрещенной зоны
14. Перенос заряда в полупроводниках (дрейф и диффузия)
15. Подвижность носителей заряда
16. Зависимость подвижности от напряженности электрического поля в полупроводнике
17. Постоянная релаксации Максвелла
18. Туннельный эффект
19. Ударная ионизация
20. Зоны Бриллюэна
21. Эффективная масса
22. Равновесные и неравновесные носители заряда
23. Генерация и рекомбинация носителей заряда
24. Время жизни неравновесных носителей заряда
25. Прямые и непрямые переходы
26. Рекомбинация через ловушки
27. Время жизни неравновесных носителей заряда при рекомбинации через ловушки
28. Зависимость времени жизни неосновных носителей заряда от концентрации примеси, температуры и уровня инжекции
29. Оже-рекомбинация
30. Эффект Дембера
31. Основные уравнения
32. Электронно-дырочный переход
33. Равновесный резкий симметричный р-n-переход
34. Равновесный резкий несимметричный р-n-переход
35. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в резком равновесном р-n-переходе
36. Контактная разность потенциалов и толщина резкого равновесного р-n-перехода
37. Выпрямление тока в р-n-переходе
38. Плавный р-n-переход
39. Полупроводниковые диоды
40. Генерация и рекомбинация носителей заряда в р-n-переходе
41. Пробой р-n-перехода
42. Распределение неосновных носителей заряда в базе диода
43. Диоды с толстой и тонкой базой
44. Барьерная и диффузионная емкость
45. Время диффузионного пролета неосновных носителей через базу
46. Встроенное электрическое поле в случае неоднородного легирования базы
47. Распределение неосновных носителей в неоднородно легированной базе диода
48. Эффект модуляции проводимости базы диода
49. Переходные процессы в диодах
50. Особенности кремниевых, германиевых и GaAs диодов
51. Стабилитроны
52. p-i-n–диоды
53. Туннельные диоды
54. Контакт металла с полупроводником (омический и выпрямляющий контакты)
55. Принцип действия выпрямляющего перехода Шотки
56. Диоды Шотки
57. Омический переход на контакте металл-полупроводник
58. Гетеропереходы
59. Биполярный транзистор
60. Электрическое поле в базе биполярного транзистора
61. Схемы включения биполярных транзисторов
62. Коэффициенты усиления тока биполярного транзистора
63. Нормальный активный режим работы биполярного транзистора
64. Инверсный активный режим работы биполярного транзистора и режим двойной инжекции
65. Распределение носителей в базе биполярного транзистора
66. Физические модели биполярного транзистора
67. Статические ВАХи биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ
68. Статические ВАХи биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ
69. Эффект Эрли
70. Эффект оттеснения тока эмиттера
71. Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от тока коллектора
72. Эффект Кирка
73. Пробой биполярных транзисторов
74. Эффект поля
75. МДП-структура
76. Заряд поверхностных состояний
77. Зависимость поверхностного заряда полупроводника от поверхностного потенциала
78. Пороговое напряжение
79. МДП-транзистор
80. Принцип действия МДП-транзистора с индуцированным каналом
81. Выходная ВАХ МДП-транзистора
82. Основные параметры МДП-транзисторов
83. Малосигнальная эквивалентная схема МДП-транзистора
84. Влияние напряжения смещения подложки на пороговое напряжение
85. Особенности МДП-транзисторов с коротким каналом